オックスフォード・インストゥルメンツ(株)
GaNパワーデバイスの量産へ:プラズマ技術を活用した原子層堆積と原子層エッチングソリューション
2024/12/12(木) | 11:30 - 11:50
Hall5(東5ホール内ステージ)
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オックスフォード・インストゥルメンツのALDおよびALEソリューションでは、最大200mmウェハを用いたGaN HEMTデバイス製造向けに、均一で低ダメージの高速プラズマプロセス提供しています。小型で高速動作かつ高効率な次世代パワーエレクトロニクスやRFデバイス製造において、GaN HEMTデバイスの信頼性が大幅に向上します。