STS先端デバイス・プロセスセッション
未来を切り拓く半導体技術：高性能とエネルギー効率への挑戦
会議棟 607会議室 および オンライン（Zoom）
参加費
1セッション：SEMI会員 11,000円（税込）、一般 22,000円（税込）
STS1日通し：SEMI会員 29,700円（税込）、一般 59,400円（税込）
※講演資料 事前ダウンロードリンク付き
※対面参加／オンライン参加でチケットが分かれております。お申込の際にはご注意ください。
半導体デバイスは、モバイル、IoT、HPC、自動車産業など多岐にわたる分野で技術革新の波を牽引し、日常生活を変革しています。同時に、高性能デバイスによるエネルギー消費の増加と環境への影響は、新しい課題をを提示し、エネルギー効率の高いデバイスの開発が急務です。本講演では、これらの課題に取り組む最先端のロジック・メモリデバイス技術と、革新的なアプローチについて解説します。
＜SEMIテクノロジーシンポジウム（STS）とは＞
1982年にSEMICON Japan発の技術セミナーとしてスタート。国内外の半導体技術動向や課題を抽出し、実用化技術を業界に掲示することで、技術者同士の技術の議論の場として発展。2024年で43回目を迎える最新半導体製造の国際技術シンポジウム。
本セッションシリーズは、業界を代表する企業や大学・研究機関など半導体製造の第一線で活躍するメンバーで結成された「SEMIテクノロジー推進委員会」の皆様に企画いただき開催。
プログラムアジェンダ
Session Chairs:
南部 勇雄（荏原製作所）、三谷 純一（ソシオネクスト） ※英語社名アルファベット順
ファウンドリ市場は成長を続けており、最近の AI テクノロジーにより、半導体業界に多大な機会が開かれています。材料・設備・デザインなど、数え切れないほどの技術革新が成長を牽引してきたことは疑いの余地がありません。これらの進化の中で、重要な技術革新の一つとしてあげられるのが、Planerから FinFET のようなトランジスタの構造変更です。構造の変更により、性能/面積が大幅に向上するだけでなく、回路設計の付加価値も生まれます。現在、 新たな技術の飛躍を遂げるため、 Gate-All-Around (GAA) トランジスタが新たに導入されはじめ、すでに GAA 製品も生産されています。本講演では、これらを踏まえて新次元時代の先端ロジックプラットフォーム技術を紹介します。
フラッシュメモリは浮遊ゲート型トランジスタを直列に接続した非常にシンプルなメモリ素子である。フラッシュメモリは、シンプルが故、全ての半導体メモリ中、最初に、平面での縮小化による高密度化の技術限界を迎えた。三次元フラッシュメモリは、多数のMONOS型トランジスタを積層することで、従来のフラッシュメモリの技術限界を打破し、記憶密度の更なる高密度化を継続した。現在、わずか1cm2サイズの単一チップに256ギガバイトのデジタルデータを蓄積できるレベルの超高記憶密度が実現された。近年、フラッシュメモリに続き、DRAMやロジック回路においても三次元化の検討が活発である。本講演では、三次元フラッシュメモリの高積層化の技術課題とその対策について紹介する。また、これまで、スケーリング則を背景にムーアの法則は推進されてきた。一方、高積層化による記憶密度の高密度化ではスケーリング則が成り立たず、新たな、高速化の技術課題が発生している。本講演では、三次元フラッシュメモリの高積層化に起因した高速化の課題と対策について紹介する。
エッジAIに向けたAIアクセラレータ、特にメモリを中心とするコンピューティングを紹介する。データを取得したエッジでAI処理をすること。全てのデータをセンタに送る必要がない事から高速・低電力、およびプライバシーの確保が期待される。その一方、エッジのリソースが限られた環境で重いAI処理を行うことは汎用のCPUでは難しく、専用のAIアクセラレータによる低電力化・高速化・低コスト化が期待されている。本講演ではAIのエッジ処理に向けた、AIアクセラレータLSI、その中でも特にCiM（Computation-in-Memory）を紹介する。
お時間になりましたら会場（11月公開予定）へ直接お越しください。
※事前登録は不要ですが、入場の際に来場バッジが必要です。