STS先端材料・分析セッション
パワーデバイスを支えるSiC材料の結晶成長技術から、評価、基板製造まで
会議棟 607会議室 および オンライン（Zoom）
参加費
1セッション：SEMI会員 11,000円（税込）、一般 22,000円（税込）
STS1日通し：SEMI会員 29,700円（税込）、一般 59,400円（税込）
※講演資料 事前ダウンロードリンク付き
※対面参加／オンライン参加でチケットが分かれております。お申込の際にはご注意ください。
電気自動車（EV）や再生可能エネルギーの効率向上のため、シリコンカーバイド（SiC）を用いたパワーデバイスの適用が拡大し、注目されています。本セミナーでは、このSiCデバイスの製造を支えるSiC材料に焦点をあて、SiC材料の結晶成長から基板評価・製造技術までを紹介します。
＜SEMIテクノロジーシンポジウム（STS）とは＞
1982年にSEMICON Japan発の技術セミナーとしてスタート。国内外の半導体技術動向や課題を抽出し、実用化技術を業界に掲示することで、技術者同士の技術の議論の場として発展。2024年で43回目を迎える最新半導体製造の国際技術シンポジウム。
本セッションシリーズは、業界を代表する企業や大学・研究機関など半導体製造の第一線で活躍するメンバーで結成された「SEMIテクノロジー推進委員会」の皆様に企画いただき開催。
プログラムアジェンダ
*プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
Session Chairs:
姜 帥現（キオクシア）、佐藤 雅伸（SCREENセミコンダクターソリューションズ） ※英語社名アルファベット順
現状150mm口径のSiC単結晶基板が市販されており、ここ数年の間には200mm口径基板の製造が開始されることがアナウンスされている。本講演では、SiC単結晶基板の製造及びビジネス展開について解説すると共に、SiC単結晶基板製造において今後取り組むべき技術課題について議論する。
SiCウェハには多くの結晶欠陥が含まれており、デバイスの性能や信頼性、歩留まりに影響を与えます。品質改善には、デバイスキラーとなる欠陥の特定と低減が重要です。本講演では、SiC結晶の評価技術を概観し、レーザーテックの欠陥評価技術への取り組みや事例を紹介します。
サイコックスは4H-SiCバルク単結晶に代わる新規基板として4H-SiC貼り合わせ基板（以下SiCkrest）を開発した。SiCkrestは単結晶の活用効率を最大化できる革新的な製品であり、本報ではSiCkrestの製造技術の特徴とSiCパワーデバイスへの適用によるメリットを紹介する。
ご参加希望の方は、そのまま会場にてお待ちください。