STSパワーデバイスセッション
飛躍するパワーデバイス市況とWBGパワーデバイス技術の最前線
会議棟 607会議室 および オンライン（Zoom）
参加費
1セッション：SEMI会員 11,000円（税込）、一般 22,000円（税込）
STS1日通し：SEMI会員 29,700円（税込）、一般 59,400円（税込）
※講演資料 事前ダウンロードリンク付き
※対面参加／オンライン参加でチケットが分かれております。お申込の際にはご注意ください。
盛り上がるパワーデバイス市場の状況を俯瞰するとともに、それらを牽引するSiC, GaNデバイス技術の最前線について講演いただきます。
＜SEMIテクノロジーシンポジウム（STS）とは＞
1982年にSEMICON Japan発の技術セミナーとしてスタート。国内外の半導体技術動向や課題を抽出し、実用化技術を業界に掲示することで、技術者同士の技術の議論の場として発展。2024年で43回目を迎える最新半導体製造の国際技術シンポジウム。
本セッションシリーズは、業界を代表する企業や大学・研究機関など半導体製造の第一線で活躍するメンバーで結成された「SEMIテクノロジー推進委員会」の皆様に企画いただき開催。
プログラムアジェンダ
*プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
Session Chairs:
中村 孝（大阪大学大学院）、森川 泰宏（アルバック） ※英語社名アルファベット順
CO2削減に資するパワー半導体の需要拡大をにらみ、世界各国のパワー半導体メーカーが積極的な増産投資を進めている。本講演では、SiCおよびGaNを中心にパワー半導体の市場動向と参入各社の投資動向を紹介する。
ワイドバンドギャップ半導体であるGaNを用いたパワーデバイス，とりわけ高電子移動度トランジスタ(HEMT)は，1990年代から活発な研究がなされてきた．長年の研究成果として，近年ではSiパワーMOSFETを凌駕する高速動作・低損失トランジスタとして，各社から製品化が始まっている．また，横型デバイスという特徴を生かしたパワー集積回路の研究も進んでおり，一部で製品化が開始された．本講演では，このGaN-HEMTの現状と今後の課題について紹介する．
カーボンニュートラル社会の実現への貢献が大いに期待されている、SiCパワーMOSFETに関し、SBD内蔵SiC-MOSFET、トレンチSiC-MOSFETなど、三菱電機における最新の開発状況を中心に紹介する。あわせて、それらのパワエレシステム応用を含めて今後の展開について述べる。
ご参加希望の方は、そのまま会場にてお待ちください。