STS先端リソグラフィセッション
微細化への探求（EUVL/NIL）とデバイス3D化に対応する最新露光技術
会議棟 607会議室 および オンライン（Zoom）
参加費
1セッション：SEMI会員 11,000円（税込）、一般 22,000円（税込）
STS1日通し：SEMI会員 29,700円（税込）、一般 59,400円（税込）
※講演資料 事前ダウンロードリンク付き
※対面参加／オンライン参加でチケットが分かれております。お申込の際にはご注意ください。
2次元方向の微細化に向けて高NA EUVLが新たに導入され始めました。またNILやDSAの技術も着実に実用化を目指しており、ユーザーで評価されております。一方で縦方向への集積化の潮流があり、先端パッケージや貼り合わせウェーハ用の露光技術が加速しております。これら２Dおよび３Dのスケーリング技術についてご講演頂きます。
＜SEMIテクノロジーシンポジウム（STS）とは＞
1982年にSEMICON Japan発の技術セミナーとしてスタート。国内外の半導体技術動向や課題を抽出し、実用化技術を業界に掲示することで、技術者同士の技術の議論の場として発展。2024年で43回目を迎える最新半導体製造の国際技術シンポジウム。
本セッションシリーズは、業界を代表する企業や大学・研究機関など半導体製造の第一線で活躍するメンバーで結成された「SEMIテクノロジー推進委員会」の皆様に企画いただき開催。
プログラムアジェンダ
*プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
Session Chairs:
永原 誠司（エーエスエムエル・ジャパン）、酒井 啓太（キヤノン）、青山 肇（ニコン）※英語社名アルファベット順
テクニカル マーケティング ディレクター
最先端リソグラフィによる微細化で、デバイス密度を向上しコストを低減する活動が継続しています。本発表では、0.33の開口数（NA）の露光装置と最先端の0.55 NA（高NA）の露光装置を用いた極端紫外線（EUV）リソグラフィの現状と展望を紹介します。また、EUV露光ツールの最大限の能力を引き出すための計測技術と計算リソグラフィに関する主要な技術についても議論します。
シニアマネージャー
現在、最先端の量産DRAMではArF液浸露光を用いたマルチパターニング技術が多用されるとともに、最先端のEUVリソグラフィの適用も始まっている。一方、EUVリソグラフィは高コストであるため、代替技術としてDSAやNILという新規パターニング技術の開発も進められている。本講演では次世代DRAMにおける各種パターニング技術の活用について述べる。
EUVの量産適用により微細化が継続している一方で、More than Mooreと呼ばれる微細化に頼らない半導体の性能向上にも注目が集まっている。
More than Mooreのアプローチの一つとして、複数の半導体チップをパッケージ内で集積することで半導体デバイスとして高性能化を実現する先端パッケージがある。
本講演では、先端パッケージで使用される露光技術について解説する。
アプリケーション開発チームリーダー
近年の最先端デバイスにおいて、ウエハ接合技術の必要性・重要性が増してきており、今やCISだけでなくBSPDN、メモリセル/CMOS回路積層などLogic、NAND、DRAMへ広がりを見せている。本講演では、ウエハ接合技術の重要性と課題について、及びウエハ接合によって発生するウエハ歪み誤差に対するソリューションを紹介する。
ご参加希望の方は、そのまま会場にてお待ちください。