半導体プロセス技術 2 Days
若手技術者の方必見！拡散・注入、リソグラフィ、エッチング、多層配線の製造プロセスの集中講義
会議棟 605会議室
参加費：
SEMI会員 50,600円（税込）、一般 73,700円（税込）
※12/12(木)-13(金)通しで行われる2日間のプログラムです
※「半導体プロセス教本」（冊子）および 昼食（お弁当）付き
拡散・注入、リソグラフィ、エッチング、多層配線の製造プロセスの基礎から最先端までを凝縮し、各技術専門の講師が豊富な図表を用いて、丁寧にわかりやすく解説する大人気の教育セミナーです。これらに加え要望の多かったパワーエレクトロニクスも加え、より充実した内容でお届けします。
プログラムアジェンダ
*プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
Day 1
シリコン半導体デバイスの作製に用いられる様々なプロセス技術のうち、酸化、拡散、イオン注入、及びLPCVD関連の基本技術を、その基となる理論とともに分かりやすく解説します。また、それぞれのプロセス技術が実際に応用されている装置やデバイスへの適用例などを紹介します。
リソグラフィの基礎として、露光、照明方法、マスク、レジスト、レジストプロセスについて解説する。レジストについては、溶解阻害型レジスト、化学増幅型レジストを述べる。ロードマップに沿って、最新のリソグラフィ技術（液浸リソグラフィ、ダブル/マルチパターニング、EUVリソグラフィ、自己組織化リソグラフィ、ナノインプリント）を解説する。
Day 2
半導体デバイスに使用される各種材料の加工や表面処理を行うためのドライエッチング技術の原理と、これを実現するためのプラズマ中での活性種制御、及び基板表面のイオンエネルギー制御について説明を行う。また各種プラズマ装置及びSi, SiO2, SiOCH等の材料に対する加工プロセスについても概説する。
教授
パワー半導体とは何か？を包括的に理解する事を主眼とし、必要とされる機能、それに対応した基本的動作、そしてこれらの歴史的発展過程を説明した後、現在主力として使われている各デバイスについて、その構造、特性、特徴を解説、最後に次世代に向けて開発が進められている新デバイスとそれによって期待される性能を順に概説する。
アルミ多層配線技術について、その必要性および配線構造、構成する材料としての金属膜、絶縁膜について解説し、層間膜平坦化技術として重要な役割を果たすCMP技術についても説明します。また、先端デバイスへの適用が拡がるCu（銅）/Low-k（低誘電率層間膜）多層配線技術について、その必要性および技術課題と対策を解説します。