パワーエレクトロニクスフォーラム２

DX(Digital Transformation)に伴う電力消費量の増大への対応、GX(Green Transformation)によるカーボンニュートラル実現のためには、電力の効率利用が不可欠である。これら2つのメガトレンドの進展に伴い、電力制御のキーデバイスであるパワー半導体の重要性が増している。本講演では性能改善が続くパワー半導体デバイスの開発の現状と将来展望について述べる。

ダイヤモンドはSiの5倍のバンドギャップをもつ半導体で、最高の絶縁破壊電界と高いキャリア移動度をあわせ持つ究極のパワー半導体です。最近、ダイヤモンドの2インチ径ウエハの結晶成長技術とパワートランジスタ技術が開発され、GaNに匹敵する高出力電力を示すダイヤモンドMOSFETが作製されました。講演では、これらのダイヤモンドのパワー半導体デバイス技術の開発の現状を紹介します。