メインコンテンツに移動

日本ポール:先端ろ過技術を駆使した、EUVリソグラフィにおけるマイクロブリッジディフェクト低減

2020/12/14(月) | 11:30 - 12:00

半導体デバイスの性能向上に向けて、EUV装置の導入が飛躍的に進んでいます。
現在の量産用EUVレジストには化学増幅型のレジストが使用されています。従来のArFやArF液浸でも使用される化学増幅型レジストにおいて、ポイントオブユースろ過は、マイクロブリッジ欠陥の元となるゲル状異物の削減に顕著な効果を発揮してきました。線幅が飛躍的に細かくなるEUVリソグラフィでは、マイクロブリッジ欠陥への懸念は増大していて、プロセスウインドウを考慮した解像性能を左右する要因ともなっています。
今回は、先端フィルトレーションテクノロジーを駆使したポイントオブユースろ過による16 nm ハーフピッチEUVリソグラフィのマイクロブリッジフロアー低減、スタートアップ改善結果について紹介します。

聴講無料

参加申込はこちら

 

注意事項

同業他社、競合製品取り扱い企業および個人の方の申込についてはお断りする場合がございますので予めご了承ください。
ご参加いただける方には別途ご案内申し上げます。

お申込されたお客様の情報は、聴講の有無にかかわらず、SEMIより講演企業に提供されます。