STS Session 3 先端メモリデバイス・プロセス

不揮発メモリのプロセス・材料の現状と技術的課題

不揮発性メモリは、スマートフォンなどのデジタル端末からの旺盛な需要、およびクラウドを担うインフラ機器からの技術的要求より今後さらなる成長が予想されます。本セッションは技術的限界が迫ってきているNANDメモリを猛追する次世代不揮発メモリについて、最新のデバイス・プロセス要素技術の観点から説明します。

セッションチェア：

(株) アルバック
門倉 好之

(株) 荏原製作所
小野澤 益信

ソニー(株)
木村 秀樹

開催日：

2011年12月8日（木）

時　 間：

14:00-17:20

場 　所：

幕張メッセ国際会議場　2F  201会議室

通 　訳：

日英同時通訳付

STS Session 3 先端メモリデバイス・プロセス 申込:
11月25日(金)まで 21,000円/ 11月26日(土)以降 25,000円
消費税別、資料事前ダウンロード付

 

 

申込


 

Session 2 先端デバイス & Session 3 先端メモリデバイス・プロセス 
同時申込割引パッケージ：
11月25日(金)まで 34,000円/11月26日(土)以降42,000円
消費税別、資料事前ダウンロード付

 

 

申込


 

STS 3日間全11セッション受講 割引パッケージ：
11月25日(金)まで 72,000円/ 11月26日(土)以降 90,000円
消費税別、資料事前ダウンロード付 

 

申込

学校関係者（含学生）特別価格
3,500円/1セッション
※他の割引パッケージ価格との併用はできません。

アジェンダ

14:00-14:05 セッション紹介
   
14:05-14:35

次世代不揮発デバイス向け相変化メモリ(PCM)
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
相変化デバイス研究グループ 主任研究員
田井 光春

 

不揮発デバイスは、高速アクセス、低消費電力といった特長を持ち、ネットワークサーバなどのストレージや、SSDへ適用されている。現在、不揮発デバイスはNANDフラッシュメモリが主流であるが、微細化やそれに伴う信頼性確保、書込み回数向上が課題である。これらの課題を克服すべく、様々な方式の次世代不揮発デバイスが開発されているが、そのひとつに相変化メモリ(PCM)がある。本講演では、次世代不揮発デバイスへの適用に向けたPCMの特長と課題について議論する。
 
  
14:35-15:05

PCRAM用相変化材料の研究開発動向

東北大学
大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 准教授
須藤 祐司

 

近年、次世代不揮発性メモリとして、相変化メモリ（PCRAM）が注目されている。PCRAMは、相変化材料のアモルファス相と結晶相の電気抵抗差を利用して情報の書込み、読み出しを行う。現在、相変化材料としてGe-Sb-Te系アモルファスカルコゲナイドが広く研究開発されているが、PCRAMの更なる低電力化、高速度化、長期書換化のために新たな相変化材料の開発が望まれている。本講では、特に材料的観点からPCRAM用相変化材料について概説する。
 
  
15:05-15:35 Plasma Etch of Materials with Low Vapor Pressure Byproducts
Lam Reserch
Sharm Pamarthy
   
15:35-16:35

ReRAM技術の開発動向と将来展望　～材料科学、製造プロセスの観点から～

（独）産業技術総合研究所
ナノデバイスセンター センター長
秋永 広幸

 

Resistance Random Access Memory (ReRAM ) は、高速かつ低消費電力動作を実現するbeyond 2Xnm世代の新しい大容量不揮発性メモリとして注目を集め、急速にその研究開発が進められるようになってきました。単純なメモリセル構造であるばかりで なく、既存の半導体プロセスとの整合性も高く、ビットコスト競争力においても優れたメモリになると考えられています。本講演では、ReRAM研究開発の経 緯、最新動向から現状における技術課題などのご説明を行います。特に、材料の選択と微細加工プロセスの観点から議論を行います。
   
16:35-17:05

新型不揮発性メモリ（ReRAM、PCRAM)量産向け成膜装置とプロセスの開発

アルバック
半導体電子技術研究所　所長
鄒 弘綱

 

フラッシュメモリの後継もしくは置き換えなどを目的にReRAMやPCRAMなど次世代不揮発性メモリの開発が進められている。アルバックもこれら新メモリの量産に向け装置とプロセスを開発してきた。講演では成膜装置を中心に開発進捗を報告する。
   
17:05-17:20 オーサーズインタビュー
   

 

 

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